გალიუმის ნიტრიდის ტექნოლოგიის უკანასკნელი მიღწევები და მისი გამოყენების სფეროები

ავტორი: Giorgi Aroshvili
საკვანძო სიტყვები: გალიუმის ნიტრადი
ანოტაცია:

გალიუმის ნიტრადი (GaN – Gallium Nitride) ტექნოლოგიაში განხორციელებული მოწყობილობები, მათი ფიზიკური თვისებების გამო განიხილება როგორც ერთერთი ყველაზე საინტერესო კანდიდატი მაღალი სიმძლავრისა და სიხშირის აქტიური მოწყობილობებისთვის, მცირე სიმძლავრის დანახარჯის წრედებში შემდეგი თაობის ტექნოლოგიებში. გასული ათწლეული განსაკუთრებით ნაყოფიერი აღმოჩნდა GaN ტექნოლოგიის განვითარებისთვის, რამაც მანამდე არარსებული ტექნოლოგიური პროდუქტების განხორციელების საშუალება გააჩინა, მაგ.: ზე-მაღალი ფართოზოლოვანი გამაძლირებლები და ზე-მაღალი ეფექტურობის მქონე დიზაინების შესაქმნელად. ასევე მოცემულია ტექნოლოგიაში საუკეთესო შედეგები, მოწყობილობების სხვადასხვა ტოპოლოგიებისთვის, შესაბამისი წყაროების მითითებით და ასევე მოცემულია დღეისათვის MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ბაზრისთვის კონკურენტი ტექნოლოგიების, ასევე ახალი, შედარებით ახალი ბაზრების შედარებითი ანალიზი.