ZnMnTe/ZnMnTeO სტრუქტურის მიღება რსკე ტექნოლოგიური მეთოდის გამოყენებით

ავტორი: მაია შარვაშიძე
თანაავტორები: თ. ბუთხუზი, ნ. გაფიშვილი, ლ. ტრაპაიძე, თ. ხულორდავა, ე. კეკელიძე, ლ. აფციაური
საკვანძო სიტყვები: ალტერნატიული ენერგოწყაროები, II-VI ნახევარგამტარები, ZnMnTe/ZnMnTeO
ანოტაცია:

ვიწროზონიან ნახევარგამტართა ბაზაზე შექმნილი მაქსიმალური სიმძლავრის მქონე მზის ბატარეების მქკ=31%. თეორიულმა და ექსპერიმენტულმა კვლევებმა განსაზღვრა, რომ ZnMnTeO მასალის თვისებები მაღალი მქკ-ის მქონე მზის ბატარეების წარმოების პერსპექტივას ქმნის (56-63%) [1-3]. ZnMnTeO ნახევარგამტარის შთანთქმის ზოლი მზის გამოსხივების ვრცელ უბანს მოიცავს (0,73ევ; 1,83ევ; 2,56ევ). ZnMnTeO მასალის მიღება შესაძლებელია ZnMnTe ნიმუშში ჟანგბადის იმპლანტაციით. იმპლანტაციის შემდეგ ნიმუში წერტილოვანი პულსური ლაზერის გამოყენებით მუშავდება. ეს ტექნოლოგია ZnMnTe:O მასალის მაღალ თვითღირებულებას განაპირობებს, რაც ხელს უშლის ამ გამოგონების დანერგვას მზის ბატარეების ინდუსტრიაში. ამგვარად, საჭიროა რაიმე ახალი მეთოდის გამოყენება, რომელიც აღნიშნულ ტექნოლოგიას წარმატებით ჩაანაცვლებს. ჩვენს მიერ შემუშავებულია რადიკალურ-სხივური კვაზიეპიტაქსიის (რსკე) მეთოდი, რომელიც ფართოზონიან ნახევარგამტართა თვისებებს ეფექტურად მართავს [4- 9]. ჩატარებულმა ექსპერიმენტებმა აჩვენა, რომ ZnMnTe-ის რსკე-ით დამუშავებით მივიღეთ p-i-n გადასასვლელი ZnMnTe/ZnMnTeO სტრუქტურის ბაზაზე. ZnMnTeO ფენებში გამოვიკვლიეთ ფოტოგამტარობა (დასხივდა ქსენონის ნათურით 150W). სინათლის წყაროდან ნიმუშამდე მანძილია 20სმ, სამუშაო ძაბვა 5ვ. ამრიგად, რსკე მეთოდით ZnMnTeO-ის მიღებამ აჩვენა რსკე ტექნოლოგიური მეთოდის უპირატესობა აქამდე გამოყენებულ ტექნოლოგიასთან შედარებით და დაგვანახა რსკე მეთოდის პერსპექტივა მაღალეფექტური (მქკ=56%-63%) მზის ბატარეების წარმოებაში.

მიმაგრებული ფაილები:

Obtaining of ZnMnTe/ZnMnTeO structures by RBQE technological method [ka]
ZnMnTe/ZnMnTeO სტრუქტურის მიღება რსკე ტექნოლოგიური მეთოდის გამოყენებით [ka]